核心代号：TU102

制造工艺(nm)：12

核心频率(GHz)：1350

加速频率(GHz)：1770

显存位宽(-bit)：384

显存容量：24GB GDDR6

显存频率(GHz)：14

功耗（W）：280

核心代号：TU102-300

制造工艺(nm)：12

核心频率(GHz)：1350

加速频率(GHz)：1545/1635

显存位宽(-bit)：352

显存容量：11GB GDDR6

显存频率(GHz)：14

功耗（W）：260

核心代号：GV100-400

制造工艺(nm)：12

核心频率(GHz)：1200

加速频率(GHz)：1455

显存位宽(-bit)：3072

显存容量：12GB HBM2

显存频率(MHz)：1700

功耗（W）：250

核心代号：GP102-450

制造工艺(nm)：16

核心频率(GHz)：1405

加速频率(GHz)：1582

显存位宽(-bit)：384

显存容量：12GB GDDR5X

显存频率(MHz)：11408

功耗（W）：250

核心代号：TU104-400

制造工艺(nm)：12

核心频率(GHz)：1515

加速频率(GHz)：1710/1800

显存位宽(-bit)：256

显存容量：8GB GDDR6

显存频率(MHz)：1400

功耗（W）：225

核心代号：GP102-350

制造工艺(nm)：16

核心频率(GHz)：1480

加速频率(GHz)：1582

显存位宽(-bit)：256

显存容量：11GB GDDR6

显存频率(MHz)：1100

功耗（W）：280

核心代号：GK110×2

制造工艺(nm)：28

核心频率(MHz)：705

加速频率(MHz)：876

显存位宽(-bit)：384×2

显存容量：12GB GDDR5

显存频率(mHz)：7008

功耗（W）：375

核心代号：GM200-400

制造工艺(nm)：28

核心频率(MHz)：1000

加速频率(MHz)：1075

显存位宽(-bit)：384

显存容量：12GB GDDR5

显存频率(MHz)：7010

功耗（W）：250

核心代号：TU106-400

制造工艺(nm)：12

核心频率(MHz)：1410

加速频率(MHz)：1620/1710

显存位宽(-bit)：256

显存容量：8GB GDDR6

显存频率(GHz)：14

功耗（W）：175

核心代号：GP104-400

制造工艺(nm)：16

核心频率(MHz)：1607

加速频率(MHz)：1733

显存位宽(-bit)：256

显存容量：8GB GDDR5X

显存频率(MHz)：10008/11008

功耗（W）：180

核心代号：GP104-300

制造工艺(nm)：16

核心频率(MHz)：1607

加速频率(MHz)：1683

显存位宽(-bit)：256

显存容量：8GB GDDR5

显存频率(MHz)：8008

功耗（W）：180

核心代号：TU106-200

制造工艺(nm)：12

核心频率(MHz)：1365

加速频率(MHz)：1680

显存位宽(-bit)：192

显存容量：6GB GDDR6

显存频率(GHz)：14

功耗（W）：160

核心代号：GP104-200

制造工艺(nm)：16

核心频率(MHz)：1506

加速频率(MHz)：1683

显存位宽(-bit)：256

显存容量：8GB GDDR5

显存频率(MHz)：8008

功耗（W）：150

核心代号：TU116-400

制造工艺(nm)：12

核心频率(MHz)：1500

加速频率(MHz)：1770

显存位宽(-bit)：192

显存容量：6GB GDDR6

显存频率(GHz)：12

功耗（W）：120

核心代号：GM200-310

制造工艺(nm)：28

核心频率(MHz)：1000

加速频率(MHz)：1075

显存位宽(-bit)：384

显存容量：6GB GDDR5

显存频率(MHz)：7010

功耗（W）：250

核心代号：TU116-300

制造工艺(nm)：12

核心频率(MHz)：1530

加速频率(MHz)：1785

显存位宽(-bit)：192

显存容量：6GB GDDR5

显存频率(GHz)：8

功耗（W）：120

核心代号：GK104×2

制造工艺(nm)：28

核心频率(MHz)：915

加速频率(MHz)：1058

显存位宽(-bit)：512

显存容量：4GB GDDR5

显存频率(MHz)：6008

功耗（W）：300

核心代号：GK110

制造工艺(nm)：28

核心频率(MHz)：889

加速频率(MHz)：980

显存位宽(-bit)：384

显存容量：6GB GDDR5

显存频率(MHz)：7008

功耗（W）：250

核心代号：GM204-400

制造工艺(nm)：28

核心频率(MHz)：1126

加速频率(MHz)：1226

显存位宽(-bit)：256

显存容量：4GB GDDR5

显存频率(MHz)：7010

功耗（W）：165

核心代号：GK110

制造工艺(nm)：28

核心频率(MHz)：875

加速频率(MHz)：928

显存位宽(-bit)：384

显存容量：3GB GDDR5

显存频率(MHz)：7008

功耗（W）：250

核心代号：GP106-400

制造工艺(nm)：16

核心频率(MHz)：1506

加速频率(MHz)：1708

显存位宽(-bit)：192

显存容量：6GB GDDR5

显存频率(MHz)：8008/9008

功耗（W）：120

核心代号：GK110

制造工艺(nm)：28

核心频率(MHz)：837

加速频率(MHz)：993

显存位宽(-bit)：384

显存容量：6GB GDDR5

显存频率(MHz)：6008

功耗（W）：250